[文章导读] 纳米压痕能够诱导液体静压力和剪切应力条件，纳米压痕结合拉曼显微光谱、透射电子显微镜和原位电特性可被用于研究单晶硅相变。采用纳米压痕技术研究了单晶硅在292 K至210 K温度范围内的相变过程，得到负载位移曲线，

纳米压痕能够诱导液体静压力和剪切应力条件，纳米压痕结合拉曼显微光谱、透射电子显微镜和原位电特性可被用于研究单晶硅相变。采用纳米压痕技术（点击了解详情）研究了单晶硅在292 K至210 K温度范围内的相变过程，得到负载位移曲线，并通过拉曼光谱检测残余压痕，结合MD模拟结果确定了纳米压痕过程中的相态。

结果表明，低温对压痕加载过程中Si-II的生成没有影响，但随着温度的降低，弹出现象被抑制。 弹出发生的概率从260K急剧下降到230K。从Si-II转变的Si-III / XII的生成和增长都被低温抑制，只有α-Si作为最后相态。

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